Samsung ha anunciado que ha iniciado la producción de chips de memoria LPDDR3 con capacidad de 4 Gbits y con tecnología de integración de 20 nanómetros en un nuevo paso para este tipo de componentes que traerá ventajas importantes en el rendimiento y autonomía de nuestros futuros smartphones.
Aunque a menudo prestemos poca atención a las características de los chips de memoria en nuestros móviles, este tipo de componentes influyen de forma fundamental en las operaciones de lectura y escritura de datos, y por lo tanto en prácticamente todas las operaciones que realizamos con ellos. Y las nuevas memorias de Samsung ayudarán a mejorar todas esas transacciones de forma notable.
Estos módulos de memoria de 4 Gbits (o lo que es lo mismo, 512 Mbytes) llevarán a nuestros smartphone algunas de las características de memorias que hasta ahora solo estaban presentes en PCs y portátiles.
El dato más relevante es el de la capacidad de transmisión frente a las memorias LPDDR2, que se dobla para llegar a los 800 Mbps y que permitirán mover todo tipo de datos sin problemas, algo muy útil por ejemplo para la transmisión o reproducción de contenidos de vídeo en alta definición.
En Samsung aseguran que estas memorias permitirán obtener una mejora del 30% en el rendimiento general, pero igualmente interesante es el hecho de que se producirá una reducción del 20% en el consumo energético cuando comparamos estos nuevos módulos de memoria con aquellos fabricados con escala de integración de 30 nm. Ahora solo queda esperar a que dichos módulos comiencen a hacer su aparición en futuras generaciones de smartphones y tablets.
En Xataka | Samsung comienza la producción de 4Gb de memoria DRAM LPDDR3 para dispositivos móviles
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