Samsung perdió la batalla de los 3 nanómetros contra TSMC. Está preparando su láser para vencer en el campo de los 2 nm

Samsung Foundry es una de las patas más importantes de la industria cuando hablamos de producción de chips a gran escala. Tienen importantes contratos con empresas de primer nivel, pero también juegan sus cartas en casa en la producción de System on Chip como el Tensor G3 del Pixel 8 Pro o el Exynos 2400 de los Galaxy S24.

Sin embargo, TSMC les ha comido la tostada estas últimas generaciones debido al proceso de fabricación más avanzado de la empresa taiwanesa, especialmente con los chips en 3 nanómetros. Samsung no quiere que se vuelva a repetir y tiene la clave para plantar cara a TSMC: el proceso de fabricación GAA para los chips en 2 nanómetros.

Gate-all-around para fabricar chips redondos. Más o menos

Tras un periodo en el que Samsung no lo estaba pasando demasiado bien con su arquitectura FinFET y una TSMC que estaba ampliando su ventaja a un ritmo elevado, el Exynos 2400 ha demostrado que los surcoreanos siguen sabiendo hacer procesadores.

El mencionado Exynos 2400 ha sido fabricado utilizando la tecnología FOWLP que elimina la PCB para soldar los componentes de otro modo, mejorando la comunicación entre ellos y haciendo que sean más eficientes a nivel energético y térmico.

Esto es algo que parece haber complacido a la mismísima Qualcomm, que ha puesto a trabajar tanto a TSMC como a Samsung para fabricar los Snapdragon del año que viene, los Snapdragon 8 Gen 5. Sin embargo, Samsung tiene otro as bajo la manda: la arquitectura GAA.

GAA son las siglas de 'gate-all-around', y se trata de una técnica que permite crear transistores cilíndricos gracias a un sistema de engarce que envuelve los transistores. Esto permite que los electrones se desplacen a una mayor velocidad y con menor resistencia, mejorando tanto la conductividad como beneficiando al consumo energético y la temperatura.

De hecho, ARM y Samsung se han aliado para crear los nuevos Cortex-X con esta arquitectura y es lo que Samsung está puliendo en estos momentos para poder fabricar chips en masa que estén a la altura del proceso de fabricación de TSMC.

Esto no es nuevo, ya que en 2018 se presentó la tecnología para llegar a los 3 nanómetros en 2020 (algo que no hicieron de forma efectiva), pero ahora parece que las fábricas de Samsung están más optimizadas para realizar el proceso en masa y con una buena tasa de efectividad.

Además, llega en un momento idóneo debido a que se estima que el mercado de los semiconductores va a seguir creciendo a un ritmo de un 13,8% anual y la proyección es que se pase de un valor de mercado de 126 mil millones de dólares en la actualidad a más de 150 mil millones de dólares para 2026.

El objetivo de Samsung, que ostenta un 13% de la cuota de mercado en semiconductores (aproximadamente) es acercarse a una TSMC que cuenta con el 60% del mercado.

Intel está asomando como una amenaza

Aunque Samsung se está esforzando en pulir su proceso de fabricación en 2 nanómetros, Intel se va a convertir en un jugador importante en la industria. Ahora mismo están fabricando chips en 5 nanómetros, pero ya tienen en su poder la máquina más avanzada para fabricar chips (cortesía de ASML) y se espera que pronto empiecen a fabricar chips con una fotolitografía mucho menor.

Samsung espera empezar a vender chips fabricados en 1,4 nanómetros en 2027. Misma fecha, más o menos, para TSMC, pero Intel también quiere estar en esa pelea. De hecho, con su nueva máquina están empezando a convencer a empresas que busquen procesadores en 1,8 nanómetros, y Microsoft ha sido su primer cliente. Y, bueno, ya han anunciado que van a pelear en el segmento de los 1,4 nanómetros.

Veremos qué ocurre, pero todo apunta a que veremos una gran pelea en un plazo de tres o cuatro años por ver quién se convierte en la fundición más potente del mundo. TSMC tiene la ventaja en estos momentos por su pulido proceso de fabricación, pero Samsung e Intel están acechando.

Imagen de portada: ASML

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