Esta misma mañana hablábamos sobre la llegada de los procesadores de 10 nanómetros y, concretamente, sobre el Huawei Kirin 970. El chip llamado a suceder al Kirin 960 en el interior del Huawei P10 tendrá varios competidores sobre el tablero: Qualcomm con su Snapdragon 835, Mediatek con sus Helio X30 y Helio X35, Apple con su Apple A11 y, por supuesto, Samsung con su Exynos 8895.
Sobre este último chip llevamos tiempo oyendo hablar y ya nos habían llegado algunos datos, como que llegaría preparado para la realidad virtual con, presumiblemente, compatibilidad con Android Daydream, o que estaría construído con tecnología de 10 nanómetros. Pero ahora se han filtrado, siempre supuestamente, casi todas sus características. Y atentos, no habrá un Exynos 8895 sino dos. Eso parece.
Los dos Exynos 8895 son prácticamente gemelos
Como decíamos antes del salto, si antes teníamos un Exynos 8895 en el roadmap de Samsung para el año 2017, ahora parece que tendremos que vérnoslas con dos modelos. Casi idénticos, pues sólo difieren en la velocidad máxima de la CPU y en la GPU. En el resto, dos gotas de agua que pueden haber llegado a los medios antes de tiempo. Pues si se trata del procesador del Samsung Galaxy S8, aún faltarían meses para su presentación oficial.
De estos nuevos Exynos 8895 sabríamos a estas alturas que cuentan con ocho núcleos en dós clústeres, el primero con núcleos M2, evolución de los núcleos M1 que ya vimos en el 8890, y el segundo con núcleos Cortex A53. En cuanto a velocidades, 2,5GHz para el Exynos 8895M y 2,3GHz para el Exynos 8895V. Para las velocidades mínimas, 1,7GHz idénticos entre ambos chips.
Comentábamos que la GPU era otra de las diferencias entre los dos procesadores pendientes de presentación oficial. En el mayor, el Exynos 8895M, encontramos una GPU Mali G71 MP20, mientras que el Exynos 8895V tendría una Mali G71 MP18. Sobre el papel, 20 núcleos y 18 núcleos para la pareja de chips que Samsung traería al mercado en unos meses. Sabemos la velocidad de reloj de ambas GPU, faltaría más, pues en la filtración se habla de 550MHz.
El resto de especificaciones son idénticas entre ambos chios por lo que los consideraremos como uno solo a partir de ahora. El Exynos 8895, construído en 10 nanómetros, soportaría memorias RAM LPDDR4X. Concretamente, hasta dos módulos de 4GB, lo que reforzaría la idea de que el S8 pudiese aterrizar con 8GB de RAM, o al menos con una versión superior que tuviese dicha cantidad de memoria.
Estaría listo para soportar memorias internas UFS 2.1, para dos pantallas 4K de forma simultánea y para LTE con categoría 12. Sobre su llegada, la información filtrada habla del segundo trimestre de 2017 (abril) y de un modelo posterior para el tercer trimestre de 2017. ¿Fijamos ya agosto como la fecha de llegada del Samsung Galaxy Note 8?
Por lo que se ve, y si toda la información filtrada se cumple, estaríamos ante toda una bestia por parte de Samsung cuya velocidad de reloj estaría algo alejada de los 2,8GHz que parecen prometer los Snapdragon 835 y Huawei Kirin 970. Veremos después, a la hora de la verdad, cómo se comporta el chip cuando llegue en el interior de los Samsung Galaxy S8. Estamos deseando verlos.
Vía | HDBlog
En Xataka Móvil | El Kirin 970 del futuro Huawei P10, entre los chips de 10 nanómetros de TSMC para 2017
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