Samsung inicia el camino hacia los 4 nanómetros, empujando el límite teórico del silicio

Corría el año 1965 cuando Gordon Moore formuló su conocida Ley, que enunciaba que los procesadores duplicaban el número de transistores cada año, con cada nueva generación. No se tardó en tener que revisar dicho crecimiento pues resultó desorbitado, quedando fijado el plazo para la duplicación de transistores en 18 meses. Año y medio.

Desde ese momento se empezó a especular sobre dónde estaría el límite del silicio, el material empleado para las obleas que actualmente sostienen los procesadores. Samsung ya fabrica chips con transistores de 10 nanómetros pero su última hoja de ruta, la expuesta en su Foundry Forum, desvela que quieren ir aún más allí y alcanzar los 4 nanómetros para sus procesadores.

Cuenta atrás, desde el 22 hasta el 1

La expresión "límite del silicio" no debería sorprendernos pues lleva años utilizándose y prácticamente el mismo tiempo aplazándose gracias a nuevas tecnologías y estudios. Desde los 22 nanómetros en los que se suponía que estaba hasta los actuales procesadores de 10 nanómetros que ya han rebasado ese tamaño. En la actualidad, los científicos pujan por los 5 ó 7 nanómetros, como el punto en el que el silicio deberá ser reemplazado por otro material que no produzca disfunciones en el trasvase de electrones, pero ya hay voces que sitúan el límite real en el nanómetro, la unidad.

Con todo, Samsung ya ha declarado oficialmente que su objetivo es llegar a los 4 nanómetros y reformará todas sus actuales tecnologías para la construcción de procesadores. Los coreanos han desvelado una hoja de ruta que les llevará a fabricar procesadores de 8, 7, 6, 5 y 4 nanómetros. Procesadores que, algunos de ellos, utilizarán técnicas ya existentes.

Los 8 nanómetros de Samsung llegarán con la tecnología Low Power Plus que ya fue anunciada con anterioridad, y la misma que emplean los actuales chips de 10 nanómetros que fabrica la compañía. Tanto el Exynos 8895 como el Snapdragon 835 de Qualcomm salen de sus líneas de montaje utilizando litografías con luz ultravioleta extrema, o EUV.

El siguiente paso serán los 7 nanómetros, con la misma tecnología EUV aunque llevándola un paso más allá. Un paso necesario para poder alcanzar los 6 nanómetros en un proceso posterior gracias a técnicas que Samsung llama Smart Scaling y que permitirá construir procesadores, siempre en palabra de su fabricante, de un gran ahorro energético.

A partir de los 5 nanómetros tocará abandonar FinFET

Con la tecnología LPP actual, Samsung afirma que será capaz también de construir chips en 5 y 4 nanómetros, aunque reconoce que en los 5 nanómetros se alcanzará el límite de escalado que permite la estructura FinFET y tendrá que ser sustituida por la futura MBCFET al llegar a lo 4 nanómetros.

Por desgracia, Samsung no ha puesto plazos sobre la mesa como sí hizo TSMC hace algunos meses, cuando afirmó que llegaría a los 5 nanómetros en el año 2020. Un tamaño que les permitirá fabricar chips tanto para Apple como para MediaTek, sus principales clientes en el mercado de procesadores en estos momentos.

La hoja de ruta avanzada de la tecnología de procesos de Samsung Foundry es un testimonio de la naturaleza colaborativa de nuestras relaciones con nuestros clientes y socios del ecosistema. La inclusión de las tecnologías de proceso anteriores permitirá una explosión de nuevos dispositivos que conectarán a los consumidores de formas nunca antes vistas

Y así, Samsung inicia un imparable camino hacia las técnicas de construcción de procesadores de 4 nanómetros. Empujando un poco más el límite teórico de los 7 nanómetros y demostrando, si lo consigue cuando llegue el momento, que el silicio aún tiene mucha vida en el mercado y que la llegada del siliceno y otros compuestos puede retrasarse unos años más.

Vía | Samsung
En Xataka Móvil | Samsung está preparado para construir chips en 6 y 8 nanómetros, y lo veremos en mayo