A finales de febrero Samsung nos sorprendía con sus módulos de memoria de alta velocidad para móviles, basados en la tecnología UFS 2.0 (Universal Flash Storage), con un tamaño máximo de 128GB. Ese módulo ha sido estrenado en los Galaxy S6 y S6 Edge, pero Samsung también propone soluciones más asequibles.
Hoy nos presenta una solución de 128GB basada en tecnología eMMC 5.0 (chips 3-bit NAND), que será más asequible - y lenta - que la comentada anteriormente, pero igualmente poderosa para estar en el vientre de dispositivos móviles de gama alta, incluso algún modelo de escalones inferiores que apueste por ofrecer más almacenamiento.
La nueva memoria de 128GB será capaz de leer secuencialmente 260MB por segundo, y realizar más de 6.000 IOPS (operaciones de entrada/salida de datos por segundo) en lectura, y más de 5.000 IOPS en escritura. Según Samsung, más que de sobra para cualquier funcionalidad que requieran los móviles actuales, incluso flujo de vídeo en alta definición.
No hay más información sobre tecnología, cuándo va a salir al mercado, o si se va a quedar para consumo interno. Aquí lo realmente importante será conocer cuánto más asequible es que la solución UFS 2.0, para evaluar si merece la pena.
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