Después de UFS 3.1 llega UFS 4.0, y una vez más Samsung se ha posicionado como pionero en la nueva generación del estándar de almacenamiento. La compañía ha anunciado tener listo la primera solución de almacenamiento UFS 4.0 de alto rendimiento. La fabricación masiva de este tipo de memorias llegará algo más tarde.
El estándar UFS 4.0 traerá una velocidad de lectura sin precedentes a las memorias de móviles, siendo especialmente útil para poder seguir el ritmo de la conectividad 5G y en aplicaciones que requieren de un gran flujo de datos, como la realidad aumentada.
Más rápida todavía
Cada uno o dos años, el estándar de almacenamiento UFS da un salto de versión que en prácticamente todas las ocasiones va parejo de un salto de velocidad. La última gran versión fue UFS 3.0, en 2018, que subía dramáticamente el ancho de banda por canal hasta los 1.450 MB/s (2,900 MB/s en total) y fue renovada dos años más tarde con UFS 3.1.
Ahora Samsung da un nuevo salto directo a UFS 4.0, que llega con el beneplácito de JEDEC, la asociación de memorias de estado sólido. Previsiblemente, tenemos un nuevo salto de velocidad con un ancho de banda por canal de 23,2 Gbps (2.875 MB/s), el doble de rápido que las memorias UFS 3.1.
Este ancho de banda extra unido al controlador V-NAND de séptima generación de Samsung permite a este chip de memoria lograr una velocidad de lectura secuencial de hasta 4.200 MB/s y de escritura de hasta 2.800 MB/s. Como comparación, la velocidad de lectura de UFS 3.1 es de hasta 2.100 MB/s y de 1.200 MB/s, para la escritura.
Versión | Año de lanzamiento | Ancho de banda por canal | Ancho de banda total |
---|---|---|---|
UFS 1.0 | 2011 | 300 MB/s | 300 MB/s |
UFS 1.1 | 2012 | 300 MB/s | 300 MB/s |
UFS 2.0 | 2013 | 600 MB/s | 1.200 MB/s |
UFS 2.1 | 2016 | 600 MB/s | 1.200 MB/s |
UFS 2.2 | 2020 | 600 MB/s | 1.200 MB/s |
UFS 3.0 | 2018 | 1.450 MB/s | 2.900 MB/s |
UFS 3.1 | 2020 | 1.450 MB/s | 2.900 MB/s |
UFS 4.0 | 2022 | 2.875 MB/s | 5.750 MB/s |
Esta mayor velocidad será de especial utilidad en los móviles 5G y cualquier otro tipo de aplicación que requiere un gran flujo de datos, incluyendo aplicaciones en realidad aumentada, realidad virtual y aplicaciones automotrices.
La memoria UFS 4.0 desarrollada por Samsung tiene o tras ventajas: la eficiencia energética también mejora, siendo un 46% más eficiente que la generación anterior y mantiene un diseño reducido (11 x 13 x 1 mm), llegando a hasta el terabyte de capacidad. Todavía tendremos que esperar para verla en los dispositivos: Samsung comenzará su producción en masa a partir del tercer trimestre del año, por lo que no lo veremos en los móviles antes de entonces.
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